沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化则不同.
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根据CeO2基电解质薄膜的内部模拟等效电路,研究了不同掺杂浓度及不同测试温度对阻抗谱的影响。
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研究发现,随着沟道掺杂浓度的提高,与平面器件相同,槽栅器件的阈值电压提高,漏极驱动能力降低,抗热载流子效应增强;
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研究发现,随着沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强;
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实验结果表明,产生KrF短脉冲的宽度随酒精中掺杂石英粉末浓度、酒精悬浊液厚度、增加而减小。
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Influence of Doping Density on Hot-carrier-effect in Grooved Gate PMOSFET
杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响
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掺杂水平和“棋盘”图样的相关性是对电荷密度波的有力证据.哈德森如是说.
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